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    H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构
    H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构

    H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构

    首页 > 电工知识更新:2021-05-28 20:29:11主题:H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构 围观:

    今天小编要和大家分享的是igbt相关信息,接下来我将从h桥igbt功率单元及试验装置的母线结构,igbt 功率模块这几个方面来介绍。

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    h桥igbt功率单元

    本文中的实验装置是一台单相 h 桥igbt 功率单元,其拓扑结构如图1 所示。其中,电容c1、c2 各由四个6800 μf 电解电容并联组成,开关器件为三菱公司的半桥igbt 模块cm300dy-24a。

    实验装置中直流母线的机械结构如图2 所示,图中的a~f 与图1 相应标注表示同一位置。其中,a 接直流电容正极,与之相连的母线称为正母线(为便于测量母线电流,分成正母线1 和正母线2 两部分);相应地,b 接直流电容负极,与之相连的母线称为负母线;c、d 和e、f 分别接接两个半桥igbt 模块。

    试验装置的母线结构

    关于igbt就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

    H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构

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